Wafer Temperature Gradient Control to Suppress Slip Formation in High-Temperature Epitaxial Film Growth

A method of operating a reactor system to provide wafer temperature gradient control is provided. The method includes a step of operating a center temperature sensor, an intermediate temperature sensor, and an edge temperature sensor to sense a temperature of a center region of a wafer on a susceptor in a reaction chamber of a reactor system, sensing a temperature of an intermediate region of the wafer, and sensing a temperature of an edge region of the wafer. The temperatures of the center, intermediate, and edge regions of the wafer are processed with a controller to generate a control signal based on a predetermined temperature gradient of the wafer. The first, second, and third sets of heater lamps are operated based on the temperatures of the central, intermediate, and edge regions to heat the central, intermediate, and edge regions of the wafer. A reactor system is also described. 웨이퍼 온도 구배 제어를 제공하기 위해 반응기 시스템을 작동하는 방법이 제공된다. 상기 방법은, 중심 온도 센서, 중간 온도 센서, 및 에지 온도 센서를 작동시켜 반응기 시스템의 반응 챔버 내의 서셉터 상에서 웨이퍼의 중심 구역의 온도를 감지하고, 웨이퍼의 중간 구역의 온도를 감지하고, 웨이퍼의 에지 구역의 온도를 감지하는 단계를 포함한다. 웨이퍼의 중심, 중간 및 에지 구역의 온도는 제어기를 이용해 처리되고 웨이퍼에 대해 미리 정의된 온도 구배에 기초하여 제어 신호를 생성한다. 제1, 제2 및 제3 히터 램프 세트는 웨이퍼의 중심, 중간 및 에지 구역을 가열하기 위해, 중심, 중간 및 에지 구역의 온도에 기초하여 작동된다. 반응기 시스템도 또한 설명된다.