본딩된 웨이퍼의 오버레이 계측

계면 근처의 계측 타겟과의 계면에서 본딩된 제1 웨이퍼 및 제2 웨이퍼로부터 형성된 샘플을 특성화하기 위한 계측 시스템은 계측 툴 및 컨트롤러를 포함할 수 있다. 계측 툴은 하나 이상의 조명 소스 및 하나 이상의 조명 소스로부터 계측 타겟으로 조명을 지향시키는 조명 서브시스템, 검출기, 및 샘플로부터 광을 수집하기 위한 수집 서브시스템을 포함할 수 있다. 샘플로부터 수집된 광은 계측 타겟으로부터의 광 및 제1 웨이퍼의 상부 표면으로부터의 광을 포함할 수 있고, 수집 서브시스템은 계측 타겟으로부터 검출기로 광을 지향시킬 수 있다. 컨트롤러는 하나 이상의 프로세서가 검출기로부터 수신된 데이터에 기초하여 샘플과 연관된 하나 이상의 파라미터의 추정치를 생성하게 하는 프로그램 명령어를 실행할 수 있다. A metrology system for characterizing a sample formed from a first wafer and a second wafer bonded at an interface with a metrology target near the interface may include a metrology tool and a controller. The metrology tool may include one or more illumination sources and an illumination sub-system to direct illumination from the one or more illumination sources to the metrology target, a detector, and a collection sub-system to collect light from the sample. The light collected from the sample may include light from the metrology target and light from a top surface of the first wafer, and the collection sub-system is may direct the light from the metrology target to the detector. The controller may execute program instructions causing the one or more processors to generate estimates of one or more parameters associated with the sample based on data received from the detector.