Semiconductor hybrid etching apparatus and method

In a semiconductor hybrid etching device comprising a platform, a first etching unit having a first etching chamber disposed inside the platform, and a second etching unit having a second etching chamber disposed inside the platform, a semiconductor hybrid etching method of the present invention may comprise the steps of: performing a first bevel etching process using an etching gas and a selective laser irradiation method on the front surface of a wafer in the first etching chamber; performing a secondary bevel etching process on the rear surface of a bevel region of the wafer or the entire rear surface of the wafer in the second etching chamber; and performing a cleaning process for the wafer in the second etching chamber. Accordingly, a yield can be improved. 본 발명의 반도체 하이브리드 식각 방법은 플랫폼, 플랫폼 내부에 배치된 제1식각 챔버를 구비하는 제1식각 유니트 및 플랫폼 내부에 배치된 제2식각 챔버를 구비하는 제2식각 유니트 포함하는 반도체 하이브리드 식각 장치에 있어서, 제1식각 챔버내에서 웨이퍼의 전면에 대해 식각 가스와 선택적 레이저 조사방식을 이용한 1차 베벨 식각 공정을 수행하는 단계; 제2식각 챔버에서 상기 웨이퍼의 상기 베벨 영역의 배면 또는 상기 웨이퍼의 배면 전체에 대해 2차 베벨 식각 공정을 수행하는 단계; 및 상기 웨이퍼에 대한 세정 공정을 상기 제2식각 챔버에서 진행하는 단계를 포함할 수 있다.