POLISHING PAD MANUFACTURING METHOD THEREOF AND PREPARING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

The present invention relates to a polishing pad, a method for manufacturing the polishing pad, and a method for manufacturing a semiconductor device using the same, which prevents a defect caused by inorganic component included in a polishing layer during a polishing process by limiting a content range of the inorganic component included in the polishing layer. In addition, when manufacturing the polishing layer, an unexpanded solid foaming agent is contained in the polishing composition, so that the solid foaming agent expands to form a plurality of uniform pores in the polishing layer during a curing process, and the content range of the inorganic component contained in the polishing layer is restrained to prevent a defect occurring during the polishing process. 본 발명은 연마 패드, 연마 패드의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 연마층 내 포함되는 무기 성분의 함량 범위를 한정하여, 연마 공정 상에서 연마층에 포함되는 무기 성분에 의해 발생되는 결함을 방지할 수 있다. 또한, 연마층 제조 시, 연마 조성물 내 비팽창된(Unexpanded) 고상 발포제로 포함되어, 경화 공정 시, 상기 고상 발포제가 팽창되어, 연마층 내 균일한 복수의 기공을 형성하고, 연마층에 포함되는 무기 성분의 함량 범위를 한정하여 연마 공정 상 발생되는 결함 발생을 방지할 수 있다.