감방사선성 수지 조성물 및 레지스트 패턴의 형성 방법

감도나 LWR 성능, 패턴 직사각형성을 우수한 레벨에서 발휘 가능한 감방사선성 수지 조성물 및 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공한다. 하기 식 (1)로 표시되는 구조 단위 (A) 및 산 해리성 기를 갖는 구조 단위 (B)를 포함하는 수지와, 감방사선성 산 발생제와, 용제를 포함하는 감방사선성 수지 조성물. JPEGpct00033.jpg5357 (상기 식 (1) 중, R1은, 할로겐 원자 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 1가의 탄화수소기이다. X는, -O- 또는 -S-이다. La1은, 할로겐 원자 치환 또는 비치환된 탄소수...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	INAMI HAJIME, NEMOTO RYUICHI, FURUICHI KOTA
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CHEMISTRY CINEMATOGRAPHY COMPOSITIONS BASED THEREON ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVINGCARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS MATERIALS THEREFOR METALLURGY ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP
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