감방사선성 수지 조성물 및 레지스트 패턴의 형성 방법

감도나 LWR 성능, 패턴 직사각형성을 우수한 레벨에서 발휘 가능한 감방사선성 수지 조성물 및 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공한다. 하기 식 (1)로 표시되는 구조 단위 (A) 및 산 해리성 기를 갖는 구조 단위 (B)를 포함하는 수지와, 감방사선성 산 발생제와, 용제를 포함하는 감방사선성 수지 조성물. JPEGpct00033.jpg5357 (상기 식 (1) 중, R1은, 할로겐 원자 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 1가의 탄화수소기이다. X는, -O- 또는 -S-이다. La1은, 할로겐 원자 치환 또는 비치환된 탄소수...

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Hauptverfasser:	INAMI HAJIME, NEMOTO RYUICHI, FURUICHI KOTA
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CHEMISTRY CINEMATOGRAPHY COMPOSITIONS BASED THEREON ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVINGCARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS MATERIALS THEREFOR METALLURGY ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP
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Beschreibung
Zusammenfassung:	감도나 LWR 성능, 패턴 직사각형성을 우수한 레벨에서 발휘 가능한 감방사선성 수지 조성물 및 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공한다. 하기 식 (1)로 표시되는 구조 단위 (A) 및 산 해리성 기를 갖는 구조 단위 (B)를 포함하는 수지와, 감방사선성 산 발생제와, 용제를 포함하는 감방사선성 수지 조성물. JPEGpct00033.jpg5357 (상기 식 (1) 중, R1은, 할로겐 원자 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 1가의 탄화수소기이다. X는, -O- 또는 -S-이다. La1은, 할로겐 원자 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 2가의 탄화수소기이다. RP는, 락톤 구조, 환상 카르보네이트 구조 및 술톤 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 구조를 갖는 1가의 유기기이다.) A radiation-sensitive resin composition includes: a resin including a structural unit (A) represented by formula (1) and a structural unit (B) having an acid-dissociable group; a radiation-sensitive acid generator; and a solvent. R1 is a halogen atom-substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms; X is -O- or -S-; La1 is a halogen atom-substituted or unsubstituted divalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, and RP is a monovalent organic group having at least one structure selected from the group consisting of a lactone structure, a cyclic carbonate structure, and a sultone structure.