INTERFACE DEFECT EXTRACTION DEVICE THAT EXTRACT CHARACTERISTIC OF INTERFACE SATAE ON SOURCE/DRAIN CONTACT TECHNOIOGY AND OPERATION METHOD THEREOF

The present invention relates to an interface defect extraction device and, more particularly, to an interface defect extraction device for extracting the characteristics of interface defects generated in case of source/drain metal contact formation. According to an embodiment of the present invention, the interface defect extraction device comprises: a current mechanism selection unit for selecting a current mechanism according to a doping concentration of a semiconductor contact interface; an SBH extraction unit for extracting a Schottky barrier height (SBH) based on the current mechanism; and a Fermi level extraction unit for extracting a Fermi level based on a difference between an intrinsic Schottky barrier height and a minimum value of a conduction band. 본 발명은 계면 결함 추출 장치에 관한 것이며, 보다 상세하게는 소스/드레인 금속 접촉 형성 시 발생하는 계면 결함의 특성을 추출하는 계면 결함 추출 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 계면 결함 추출 장치는 반도체 접촉 계면의 도핑 농도에 따라 전류 매커니즘을 선택하는 전류 매커니즘 선택부, 상기 전류 매커니즘에 기초하여 쇼트키 장벽 높이(schottky barrier height; SBH)를 추출하는 SBH 추출부, 및 상기 고유 쇼트키 장벽 높이와 컨덕션 밴드의 최소값의 차이에 기초하여 페르미 레벨을 추출하는 페르미 레벨 추출부를 포함한다.