방사선 포토레지스트 패터닝을 패터닝하기 위한 통합된 건식 프로세스

EUV를 사용하여 패터닝될 수도 있는 반도체 기판들 상에 박막들을 제조하기 위한 방법들은: 반도체 기판의 표면 상에 유기 금속 폴리머-유사 재료를 증착하는 단계, 패턴을 형성하기 위해 표면을 EUV에 노출시키는 단계, 및 하부 층으로 나중의 전사를 위해 패턴을 현상하는 단계를 포함한다. 증착 동작들은 금속 전구체들 및 대응-반응물질들이 시간 또는 공간에서 분리되는, CVD (Chemical Vapor Deposition), ALD (Atomic Layer Deposition), 및 불연속적인, ALD-유사 프로세스와 같은, CVD 컴포넌트를 사용하는 ALD에 의해 수행될 수도 있다. Methods for making thin-films on semiconductor substrates which may be patterned using EUV, include: depositing the organometallic polymer-like material onto the surface of the semiconductor substrate, exposing the surface to EUV to form a pattern, and developing the pattern for later transfer to underlying layers. The deposition operations may be performed by chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition (ALD), and ALD with a CVD component, such as a discontinuous, ALD-like process in which metal precursors and counter-reactants are separated in either time or space.