Phase Shift Blankmask and Photomask for EUV lithography

A blank mask for extreme ultraviolet (EUV) lithography includes a reflective layer, a capping layer, an etch stop layer, and a phase shift layer formed on a substrate. The etch stop layer is formed of a material which contains tantalum (Ta), and may be formed of a material which further contains boron (B), nitrogen (N), and oxygen (O). E-beam repair of the etch stop layer is easy, and the change in surface roughness of a lower capping layer is minimized during etching of the etch stop layer. By adjusting the structure and thickness of the etch stop layer, the reflectance of the phase shift layer can be adjusted, for example, in the range of 6 to 50 %, and the amount of phase shift can be easily adjusted to a required level. EUV 리소그래피용 블랭크마스크는, 기판상에 형성된 반사막, 캡핑막, 식각저지막, 및 위상반전막을 구비한다. 식각저지막은 탄탈륨(Ta)을 포함하는 물질로 형성되며, 보론(B), 질소(N), 산소(O)를 더 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 식각저지막의 E-beam Repair 가 용이하고, 식각저지막 식각 시 하부 캡핑막의 표면 거칠기 변화가 최소화된다. 식각저지막 구조 및 두께 조절을 통해 위상반전막의 반사율을 예컨대 6~50% 범위로 조절하고 위상반전량을 요구되는 수준으로 용이하게 조절할 수 있다.