플라스마 처리 장치

마이크로파가 투과하는 유전체판을 상방에 구비하며 시료가 플라스마 처리되는 처리실과, 상기 마이크로파의 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원과, 상기 고주파 전원으로부터 도파관을 통해 전송된 마이크로파를 공진시키며 상기 유전체판의 상방에 배치된 공동 공진기와, 상기 처리실 내에 자장을 형성하는 자장 형성 기구를 구비하는 플라스마 처리 장치에 있어서, 상기 공동 공진기의 내부에 배치된 링 형상 도체와, 상기 공동 공진기의 내부에 배치되며 상기 링 형상 도체의 중앙의 개구에 배치된 원형 도체를 더 구비한다. A plasma processing apparatus includes: a processing chamber in which a sample is subjected to plasma processing, including, at an upper side therein, a dielectric plate, through which microwaves are transmitted; a radio frequency power supply which supplies radio frequency power for the microwaves; a cavity resonator which resonates microwaves transmitted from the radio frequency power supply through a waveguide and is placed above the dielectric plate; and a magnetic field forming mechanism which forms a magnetic field in the processing chamber. The plasma processing apparatus further includes: a ring-shaped conductor placed inside the cavity resonator; and a circular conductor which is placed inside the cavity resonator and placed in an opening at the center of the ring-shaped conductor.