METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR CHIP AND PROTECTIVE FILM FORMING AGENT

The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor chip for cutting a semiconductor wafer. Provided are the method for manufacturing a semiconductor chip, which can form a processing groove in a protective film formed on the semiconductor wafer and the semiconductor wafer with high processing accuracy by laser irradiation, and a protective film forming agent which can be used in the method for manufacturing a semiconductor chip. The method for manufacturing a semiconductor chip, which is performed by cutting the semiconductor wafer (2), includes the steps of: forming a protective film (24) by applying the protective film forming agent containing a water-soluble resin (A), a light-absorbing agent (B), and a solvent (S) on the semiconductor wafer (2); and irradiating a predetermined position of one or more layers including the protective film (24) on the semiconductor wafer (2) with laser light including light having a wavelength of 515 nm to form the processing groove in which the surface of the semiconductor wafer is exposed and a pattern corresponding to the shape of the semiconductor chip is formed, wherein the protective film has an absorbance of 0.05 or more per 1 ㎛ thickness at a wavelength of 515 nm. (과제) 반도체 웨이퍼를 절단하는 반도체 칩의 제조 방법으로서, 반도체 웨이퍼 상에 형성하는 보호막 및 반도체 웨이퍼에, 레이저광의 조사에 의해 높은 가공 정밀도로 가공홈을 형성할 수 있는 반도체 칩의 제조 방법과, 당해 반도체 칩의 제조 방법에 사용할 수 있는 보호막 형성제를 제공하는 것. (해결 수단) 반도체 웨이퍼 (2) 를 절단함으로써 실시되는, 반도체 칩의 제조 방법으로서, 반도체 웨이퍼 (2) 상에, 수용성 수지 (A) 와, 흡광제 (B) 와, 용매 (S) 를 포함하는 보호막 형성제를 도포하여 보호막 (24) 을 형성하는 것과, 반도체 웨이퍼 (2) 상에 있어서의 보호막 (24) 을 포함하는 1 이상의 층의 소정의 위치에 파장 515 ㎚ 의 광을 포함하는 레이저광을 조사하여, 반도체 웨이퍼의 표면이 노출되고, 또한 반도체 칩의 형상에 따른 패턴의 가공홈을 형성하는 것을 포함하고, 보호막의 파장 515 ㎚ 에 있어서의 두께 1 ㎛ 당 흡광도가 0.05 이상이다.