하이브리드 레이저 스크라이빙 및 플라즈마 에칭 웨이퍼 싱귤레이션 프로세스를 위한 감소된 전류 누설을 갖는 정전 척
감소된 전류 누설을 갖는 정전 척들 및 반도체 웨이퍼들을 다이싱하는 방법들이 설명된다. 예에서, 에칭 장치는 챔버, 및 챔버 내의 또는 챔버에 커플링된 플라즈마 소스를 포함한다. 정전 척이 챔버 내에 있다. 정전 척은, 자신의 원주방향 에지에 복수의 노치들을 갖는 전도성 페데스탈을 포함한다. 정전 척은 또한, 복수의 노치들 중의 노치들에 대응하는 복수의 리프트 핀들을 포함한다. Electrostatic chucks with reduced current leakage and methods of dicing semiconductor w...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 감소된 전류 누설을 갖는 정전 척들 및 반도체 웨이퍼들을 다이싱하는 방법들이 설명된다. 예에서, 에칭 장치는 챔버, 및 챔버 내의 또는 챔버에 커플링된 플라즈마 소스를 포함한다. 정전 척이 챔버 내에 있다. 정전 척은, 자신의 원주방향 에지에 복수의 노치들을 갖는 전도성 페데스탈을 포함한다. 정전 척은 또한, 복수의 노치들 중의 노치들에 대응하는 복수의 리프트 핀들을 포함한다.
Electrostatic chucks with reduced current leakage and methods of dicing semiconductor wafers are described. In an example, an etch apparatus includes a chamber, and a plasma source within or coupled to the chamber. An electrostatic chuck is within the chamber. The electrostatic chuck includes a conductive pedestal having a plurality of notches at a circumferential edge thereof. The electrostatic chuck also includes a plurality of lift pins corresponding to ones of the plurality of notches. |
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