Compound semiconductor device

A compound semiconductor element is provided. The compound semiconductor element according to embodiments of the present invention includes: a first semiconductor layer having fins extending in a first direction on a substrate; an upper gate electrode extending in a second direction perpendicular to the first direction on the first semiconductor layer; a second semiconductor layer between the sidewall of the fin and the upper gate electrode; a dielectric layer between the upper surface of the fin and the upper gate electrode; and a lower gate structure penetrating the substrate and connected to the lower surface of the first semiconductor layer. 화합물 반도체 소자가 제공된다. 본 발명의 실시예들에 따른 화합물 반도체 소자는 기판의 상에 제1 방향으로 연장된 핀을 갖는 제1 반도체 층; 상기 제1 반도체 층 상에 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 연장된 상부 게이트 전극; 상기 핀의 측벽과 상기 상부 게이트 전극 사이의 제2 반도체 층; 상기 핀의 상면 및 상기 상부 게이트 전극 사이의 유전층; 및 상기 기판을 관통하여 상기 제1 반도체 층의 하면과 연결되는 하부 게이트 구조체를 포함할 수 있다.