Metal layer polishing slurry composition

Disclosed are a metal film polishing slurry composition and a method for reducing a scratch generated during metal film polishing using the same capable of decreasing an increasing temperature when polishing a metal film by reducing frictional force; and reducing the scratch by improving thermal stability of slurry and suppressing an increase of a particle size of slurry due to high temperature. The method for reducing a scratch generated during metal film polishing comprises: a step of contacting the metal film polishing slurry composition including an organic solvent containing a nitrogen atom and a glycol-based organic solvent with a substrate on which the metal film is formed; and a step of contacting a polishing pad with the substrate, moving the polishing pad to the substrate, and removing at least a part of the metal film from the substrate. 반도체 집적회로의 제조에 있어서, 금속막의 연마 시 상승하는 온도를, 마찰력을 감소시킴으로써 낮추며, 슬러리의 열적 안정성을 개선하여, 고온에 의한 슬러리의 입도 증가를 억제함으로써 스크래치를 감소시키는 금속막 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 금속막 연마 시 발생하는 스크래치의 감소 방법이 개시된다. 상기 금속막 연마 시 발생하는 스크래치의 감소 방법은, 질소 원자를 포함하는 유기용매 및 글리콜계 유기용매를 포함하는 금속막 연마 슬러리 조성물을 금속막이 형성된 기판과 접촉시키는 단계; 및 연마 패드를 상기 기판과 접촉시키고, 상기 연마 패드를 기판에 대해 이동시켜, 상기 기판으로부터 상기 금속막의 적어도 일부를 제거하는 단계를 포함한다.