캡 층 (CAP LAYER) 인-시츄 (IN-SITU) PECVD

유전체 재료로 갭들 (gaps) 을 충진하기 위한 방법들은 갭을 충진하기 위해 원자 층 증착 (atomic layer deposition; ALD) 기법을 사용한 증착, 이어서 화학 기상 증착 (chemical vapor deposition; CVD) 기법에 의해 충진된 갭 상에 캡 층 (cap layer) 의 증착을 수반한다. ALD 증착은 플라즈마-강화된 ALD (plasma-enhanced ALD; PEALD) 또는 열적 ALD (thermal ALD; tALD) 증착일 수도 있다. CVD 증착은 플라즈마-강화된 CVD (plasma-enhanced CVD; PECVD) 또는 열적 CVD (thermal CVD; tCVD) 증착일 수도 있다. 일부 실시 예들에서, CVD 증착은 프로세스 동작들을 개입하지 않고 ALD 증착과 동일한 챔버에서 수행된다. 캡 층의 이러한 인 시츄 (in-situ) 증착은 고 균일성 (uniformity) 을 갖는 고 쓰루풋 (throughput) 프로세스를 발생시킨다. 프로세스 후, 웨이퍼는 일부 실시 예들에서 화학적-기계적 평탄화 (chemical-mechanical planarization; CMP) 를 위해 준비된다. Methods for filling gaps with dielectric material involve deposition using an atomic layer deposition (ALD) technique to fill a gap followed by deposition of a cap layer on the filled gap by a chemical vapor deposition (CVD) technique. The ALD deposition may be a plasma-enhanced ALD (PEALD) or thermal ALD (tALD) deposition. The CVD deposition may be plasma-enhanced CVD (PECVD) or thermal CVD (tCVD) deposition. In some embodiments, the CVD deposition is performed in the same chamber as the ALD deposition without intervening process operations. This in-situ deposition of the cap layer results in a high throughput process with high uniformity. After the process, the wafer is ready for chemical-mechanical planarization (CMP) in some embodiments.