MEMORY UNIT AND STATIC RANDOM ACCESS MEMORY

저장 유닛 및 정적 랜덤 액세스 메모리가 제공된다. 저장 유닛은 래치를 포함하고, 래치는 제1 저장 비트를 제공한다. 저장 유닛은 제1 MOS 트랜지스터를 추가로 포함한다. 제1 MOS 트랜지스터의 게이트는 제1 저장 비트에 접속되고, 제1 MOS 트랜지스터의 소스는 제1 판독 라인에 접속되고, 제1 MOS 트랜지스터의 드레인은 제2 판독 라인에 접속된다. 제1 상태에서, 제1 판독 라인은 판독 워드 라인이고, 제2 판독 라인은 판독 비트 라인이거나; 제2 상태에서, 제2 판독 라인은 판독 워드 라인이고, 제1 판독 라인은 판독 비트 라인이다. 본 발명의 실시예들에 따른 저장 유닛은 판독 워드 라인과 판독 비트 라인 사이의 교환을 구현할 수 있다. A storage unit and a static random access memory are provided. The storage unit includes a latch, and the latch provides a first storage bit. The storage unit further includes a first MOS transistor. A gate of the first MOS transistor is connected to the first storage bit, a source of the first MOS transistor is connected to a first read line, and a drain of the first MOS transistor is connected to a second read line. In a first state, the first read line is a read word line, and the second read line is a read bit line; or in a second state, the second read line is a read word line, and the first read line is a read bit line. The storage unit according to embodiments of the present invention can implement an exchange between a read word line and a read bit line.