SEMICONDUCTOR DEVICE DEFECT ANALYSIS METHOD

According to the present disclosure, a method for analyzing a defect of a semiconductor device includes: a step of collecting current data by applying a test voltage to the semiconductor device; a step of extracting data of a decrease part in current data; a step of separating the current data into a first component value and a second component value by using the current data and the data of the decrease part; and a step of calculating a first quality index from the first component value satisfying a first function and calculating a second quality index from the second component value satisfying a second function different from the first function. 본 개시에 따른 반도체 장치의 불량 분석 방법은 반도체 장치에 테스트 전압을 인가하여 전류 데이터를 수집하는 단계, 전류 데이터 중 감소부의 데이터를 추출하는 단계, 전류 데이터 및 감소부의 데이터를 이용하여 전류 데이터를 제1 성분값 및 제2 성분값으로 분리하는 단계 및 제1 함수를 만족하는 제1 성분값으로부터 제1 품질 인덱스를 산출하고, 제1 함수와 상이한 제2 함수를 만족하는 제2 성분값으로부터 제 2 품질 인덱스를 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.