APPARATUS AND METHOD FOR ESTIMATING BREAKDOWN VOLTAGE OF SILICON DIOXIDE FILM BASED ON NEURAL NETWORK MODEL

The present invention relates to a method for predicting an oxide film breakdown voltage, which may comprise the steps of: generating breakdown voltage information on a first test die among a plurality of test dies; generating a breakdown voltage prediction model by updating a weight parameter of a neural network model based on the breakdown voltage information; receiving current levels measured from a second test die by applying a plurality of voltages having a level smaller than a breakdown voltage level to the second test die distinguished from the first test die among the test dies; and predicting a breakdown voltage of the second test die from the breakdown voltage prediction model based on the received current level. Therefore, a breakdown voltage of a target test die can be predicted by a current level for initial voltage. 산화막 항복 전압(breakdown voltage)을 예측하는 방법은 복수의 테스트 다이들 중 제1 테스트 다이에 대한 항복 전압 정보를 생성하는 단계, 상기 항복 전압 정보에 기초하여 뉴럴 네트워크 모델의 가중치 파라미터를 업데이트함으로써 항복 전압 예측 모델을 생성하는 단계, 상기 복수의 테스트 다이들 중 상기 제1 테스트 다이와 구별되는 제2 테스트 다이에 항복 전압 레벨보다 작은 레벨을 갖는 복수의 전압들을 인가함으로써 상기 제2 테스트 다이로부터 측정된 전류 레벨들을 수신하는 단계, 및 상기 수신된 전류 레벨에 기초하여 상기 항복 전압 예측 모델로부터 상기 제2 테스트 다이의 항복 전압을 예측하는 단계를 포함할 수 있다.