LASER-ASSISTED EPITAXY AND ETCHING FOR MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUITS

A method comprises the following steps of: arranging a wafer in a production chamber; providing a heating source to heat the wafer; and projecting a laser beam onto the wafer by using a laser projector. The method further includes a step of performing a process selected from an epitaxy process of growing a semiconductor layer on a wafer and an etching process of etching the semiconductor layer when the wafer is heated by both the heating source and the laser beam. 방법은 웨이퍼를 생산 챔버 내에 배치하는 단계와, 웨이퍼를 가열하기 위해 가열원을 제공하는 단계와, 레이저 프로젝터를 사용하여 웨이퍼 상에 레이저빔을 투사하는 단계를 포함한다. 방법은, 가열원과 레이저빔 둘 다에 의해 웨이퍼가 가열될 때에, 웨이퍼 상에 반도체층을 성장시키는 에피택시 공정과, 반도체층을 에칭하는 에칭 공정, 중에 선택된 공정을 수행하는 단계를 더 포함한다.