진공 프로세싱 장치, 진공 시스템, 가스 분압 제어 조립체, 및 진공 프로세싱 챔버에서 가스 분압을 제어하는 방법

기판 상의 재료의 증착을 위한 진공 프로세싱 장치(110)가 제공된다. 진공 프로세싱 장치(110)는 프로세싱 영역(111)을 포함하는 진공 챔버; 진공 챔버의 프로세싱 영역(111) 내의 증착 장치(112); 진공 챔버 내부의 냉각 표면(113); 및 냉각 표면(113)과 프로세싱 영역(111) 사이에 하나 이상의 이동 가능 실드들(220)을 포함한다. A vacuum processing apparatus (110) for deposition of a material on a substrate is provided. The vac...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	CHEN CHUN CHENG, GRILLMAYER JUERGEN, GEBELE THOMAS, LIN SHIN HUNG, CHANG HUNG WEN, YANG CHI CHANG, MUNDORF CHRISTOPH
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	기판 상의 재료의 증착을 위한 진공 프로세싱 장치(110)가 제공된다. 진공 프로세싱 장치(110)는 프로세싱 영역(111)을 포함하는 진공 챔버; 진공 챔버의 프로세싱 영역(111) 내의 증착 장치(112); 진공 챔버 내부의 냉각 표면(113); 및 냉각 표면(113)과 프로세싱 영역(111) 사이에 하나 이상의 이동 가능 실드들(220)을 포함한다. A vacuum processing apparatus (110) for deposition of a material on a substrate is provided. The vacuum processing apparatus (110) includes a vacuum chamber comprising a processing area (111); a deposition apparatus (112) within the processing area (111) of the vacuum chamber; a cooling surface (113) inside the vacuum chamber; and one or more movable shields (220) between the cooling surface (113) and the processing area (111).