이온 밀링 장치

높은 가공 속도 및 넓은 가공 영역과 가공면의 평활성을 양립시키는 것이 가능한 이온 밀링 장치를 제공한다. 이온 밀링 장치는, 비집속의 이온빔을 조사하는 제1 내지 제3 이온건(1∼3)과, 시료(6)를 유지하는 시료대(7)를 갖고, 제3 이온건(3)의 이온빔 중심(113)이, 시료 표면의 수선(60)과, 마스크(5)와 시료(6)의 경계인 마스크 단부(端部)(51)에 의해서 펼쳐지는 제1 평면에 포함되며, 또한 제1 이온건(1)의 이온빔 중심(111) 및 제2 이온건(2)의 이온빔 중심(112)이 제2 평면에 포함되고, 제2 평면은, 제1 평면에 대해서 마스크측으로 경사져서, 제1 평면과 제2 평면이 이루는 각은 0°를 초과하며 10°이하이고, 제1 내지 제3 이온건이 조사하는 이온빔이 시료의 표면에 있어서 중첩하는 영역에서 시료의 가공면이 형성된다. An ion milling device which balances high processing speed and a wide processing region with smoothness of a processing surface. The ion milling device includes first to third ion guns that emit unfocused ion beams. An ion beam center of the third ion gun is included in a first plane defined by a normal to a surface of a sample and a mask end, and an ion beam center of the first ion gun and an ion beam center of the second ion gun are included in a second plane. The second plane is inclined toward the mask with respect to the first plane, and an angle formed by the first plane and the second plane is more than 0 degrees and 10 degrees or less. The processing surface of the sample is formed in a region where the emitted ion beams overlap on the surface of the sample.