Cleaning Method of Deposition Chamber for Depositing Metal Oxide Semiconductor Material

The present invention relates to a method for cleaning a deposition chamber for depositing a metal oxide semiconductor material, capable of dry cleaning a deposition chamber of a thin film of a metal oxide semiconductor in situ. The method for cleaning a deposition chamber for depositing a metal oxide semiconductor material includes: an activating step of activating multiple chlorinated gases including a first chlorinated gas and a second chlorinated gas; and a cleaning step of cleaning the deposition chamber by a radical of the multiple chlorinated gases generated in the activating step. The radical includes: a first chlorinated radical generated from the first chlorinated gas and reacting to the metal oxide semiconductor material; and a second chlorinated radical different from the first chlorinated radical and reacting to the metal oxide semiconductor material by being generated from the second chlorinated gas. In the activating step, a ratio of a flow rate of the first chlorinated gas and the second chlorinated gas is controlled so that the product of a concentration of the first chlorinated radical and the concentration of the second chlorinated radical becomes maximum. 본 발명의 세정 방법은, 금속 산화물 반도체 물질을 증착하는 증착 챔버를 세정하기 위한 방법으로서, 제1 염소계 가스와 제2 염소계 가스를 포함하는 복수의 염소계 가스를 활성화시키는 활성화 단계, 상기 활성화 단계에서 생성된 복수의 염소계 가스의 라디칼(radical)에 의해 상기 증착 챔버를 세정하는 세정 단계를 포함하며, 상기 라디칼은, 제1 염소계 가스로부터 생성되어 금속 산화물 반도체 물질과 반응하는 제1 염소계 라디칼과, 제2 염소계 가스로부터 생성되어 금속 산화물 반도체 물질과 반응하며, 제1 염소계 라디칼과 다른 제2 염소계 라디칼을 포함하며, 상기 활성화 단계에서는 제1 염소계 라디칼과 제2 염소계 라디칼의 농도의 곱이 최대가 되도록, 상기 제1 염소계 가스와 상기 제2 염소계 가스의 유량비를 제어하는 것을 특징으로 한다.