PLASMA PROCESSING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE MENUFACTURING METHOD USING THE SAME

One embodiment of the present invention provides a plasma processing device comprising: an electrostatic chuck that supports a wafer and is connected to a first power source; an edge ring disposed to surround an edge of the electrostatic chuck and made of a material having a first resistivity value; a dielectric ring that supports a lower part of the edge ring, made of a material having a second resistivity value smaller than that of the first resistivity value, and is connected to a second power source; and an electrode ring disposed in contact with a lower surface of the edge ring in an area overlapping the dielectric ring and made of a material having a third resistivity value greater than that of the first resistivity value, wherein the third resistivity value is a value of 90-1000 Ωcm. Therefore, the present invention is capable of minimizing a disturbance of a plasma. 본 발명의 일 실시예는, 웨이퍼를 지지하며, 제1 전원에 접속된 정전 척(electrostatic chuck); 상기 정전 척의 가장자리를 둘러싸도록 배치되며 제1 비저항값을 갖는 물질로 이루진 에지 링(edge ring); 상기 에지 링의 하부를 지지하며 상기 제1 비저항값 보다 작은 제2 비저항값을 갖는 물질로 이루어지며 제2 전원에 접속된 유전체 링; 및 상기 유전체 링과 중첩하는 영역 내에 상기 에지 링의 하면에 접하여 배치되며 상기 제1 비저항값 보다 큰 제3 비저항값을 갖는 물질로 이루어진 전극 링;을 포함하며, 상기 제3 비저항값은 90Ω㎝ 내지 1000Ω㎝의 값인 플라즈마 처리 장치를 제공한다.