SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR PACKAGE COMPRISING THE SAME
According to an embodiment of the present disclosure, a semiconductor device comprises: a semiconductor chip including a semiconductor substrate having a first surface adjacent to an active layer and a second surface opposite to the first surface, and a through electrode passing through at least a p...
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Hauptverfasser: | , |
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | According to an embodiment of the present disclosure, a semiconductor device comprises: a semiconductor chip including a semiconductor substrate having a first surface adjacent to an active layer and a second surface opposite to the first surface, and a through electrode passing through at least a portion of the semiconductor substrate in a vertical direction and connected to the active layer; and a bonding pad which is on the second surface of the semiconductor substrate and electrically connected to the through electrode, and includes a first pad portion having a first length in a horizontal direction, and a second pad portion arranged on the first pad portion and having a second length in the horizontal direction smaller than the first length. When the bonding pad is viewed from a plan view, the bonding pad may have a polygonal shape in which at least one of interior angles is greater than 180° and less than 360°. Adhesion reliability can be improved.
본 개시의 예시적 실시예에 따른 반도체 장치는, 활성 층과 인접한 제1 면 및 상기 제1 면에 반대되는 제2 면을 갖는 반도체 기판, 및 상기 반도체 기판의 적어도 일 부분을 수직 방향으로 통과하여 상기 활성 층과 연결되는 관통 전극을 포함하는 반도체 칩; 상기 반도체 기판의 상기 제2 면 상에 있고 상기 관통 전극과 전기적으로 연결되는 본딩 패드로서, 수평 방향의 제1 길이를 갖는 제1 패드 부분; 및 상기 제1 패드 부분 상에 배치되고 상기 제1 길이보다 작은 수평 방향의 제2 길이를 갖는 제2 패드 부분;을 포함하는 상기 본딩 패드;를 포함하고, 상기 본딩 패드를 평면적 관점에서 봤을 경우, 상기 본딩 패드는 내각들 중 적어도 어느 하나의 내각의 크기가 180도를 초과하고 360도 미만인 다각형 형상인 것을 특징으로 한다. |
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