화학 기계 연마용 조성물 및 화학 기계 연마 방법

텅스텐이나 코발트 등의 도전체 금속을 포함하는 반도체 기판을 고속 또한 평탄하게 연마할 수 있음과 함께, 연마 후의 표면 결함을 저감할 수 있는 화학 기계 연마 조성물 및 화학 기계 연마 방법을 제공한다. 본 발명에 관한 화학 기계 연마용 조성물은, (A) 하기 일반식 (1)로 표시되는 관능기를 갖는 실리카 입자와, (B) 실란 화합물을 함유한다. -COO-M+ ... (1) (M+는 1가의 양이온을 나타낸다.) Provided are a chemical-mechanical polishing composition and a chem...

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Hauptverfasser: YAMADA YUUYA, WANG PENGYU, SUGIE NORIHIKO, KAMEI YASUTAKA
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:텅스텐이나 코발트 등의 도전체 금속을 포함하는 반도체 기판을 고속 또한 평탄하게 연마할 수 있음과 함께, 연마 후의 표면 결함을 저감할 수 있는 화학 기계 연마 조성물 및 화학 기계 연마 방법을 제공한다. 본 발명에 관한 화학 기계 연마용 조성물은, (A) 하기 일반식 (1)로 표시되는 관능기를 갖는 실리카 입자와, (B) 실란 화합물을 함유한다. -COO-M+ ... (1) (M+는 1가의 양이온을 나타낸다.) Provided are a chemical-mechanical polishing composition and a chemical-mechanical polishing method capable of polishing a semiconductor substrate containing a conductive metal such as tungsten or cobalt flatly and at high speed as well as reducing surface defects after polishing. The composition for chemical-mechanical polishing contains (A) silica particles having a functional group represented by general formula (1) and (B) a silane compound. -COO-M+ . . . (1) (M+ represents a monovalent cation.)