협대역 방출 SiAlON 인광체

본 명세서는 Eu2+ 도핑된 협대역 적색 방출 인광체들의 안정성 및 성능을 향상시키는 방법들을 개시한다. 일 실시예에서, 결과적인 인광체 조성물들은 UCr4C4 결정 구조체 타입의 규칙적인 구조체 변형들을 결정화하고, AE1-xLi3-2yAl1+2y-zSizO4-4y-zN4y+z:Eux(AE = Ca, Sr, Ba 또는 이들의 조합; 0 < x < 0.04, 0 ≤ y < 1, 0 < z < 0.05, y+z ≤ 1)의 조성을 갖는 것을 특징으로 한다. (Si,N)+에 의한 (A1,O)+ 형식적 치환은 원...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SCHMIDT PETER JOSEF, STROBEL PHILIPP JEAN, WEILER VOLKER, TUCKS ANDREAS
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	ADHESIVES BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY COMPOUNDS THEREOF DYES ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INORGANIC CHEMISTRY MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE METALLURGY MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS MISCELLANEOUS COMPOSITIONS NATURAL RESINS NON-METALLIC ELEMENTS PAINTS POLISHES SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 명세서는 Eu2+ 도핑된 협대역 적색 방출 인광체들의 안정성 및 성능을 향상시키는 방법들을 개시한다. 일 실시예에서, 결과적인 인광체 조성물들은 UCr4C4 결정 구조체 타입의 규칙적인 구조체 변형들을 결정화하고, AE1-xLi3-2yAl1+2y-zSizO4-4y-zN4y+z:Eux(AE = Ca, Sr, Ba 또는 이들의 조합; 0 < x < 0.04, 0 ≤ y < 1, 0 < z < 0.05, y+z ≤ 1)의 조성을 갖는 것을 특징으로 한다. (Si,N)+에 의한 (A1,O)+ 형식적 치환은 원하지 않는 Eu3+의 농도를 감소시키고 따라서 안정성 및 변환 효율과 같은 인광체의 특성들을 향상시키는 것으로 생각된다. This specification discloses methods of enhancing the stability and performance of Eu2+ doped narrow band red emitting phosphors. In one embodiment the resulting phosphor compositions are characterized by crystallizing in ordered structure variants of the UCr4C4 crystal structure type and having a composition of AE1−xLi3−2yAl1+y−zSizO4−4y−zN4y+z:Eux (AE=Ca, Sr, Ba, or a combination thereof, 0