EXHAUST GAS PROCESSING SYSTEM INCLUDING ADSORBENT FOR SUPPESSING POWDER-LIKE BYPRODUCT

An exhaust gas processing system includes: a process chamber in which a process for a semiconductor is performed and an exhaust gas is produced; an exhaust gas measuring device receiving the exhaust gas from the process chamber and measuring a concentration of the exhaust gas; a solid producing gas processing device receiving the exhaust gas from the exhaust gas measuring device and removing a solid producing gas contained in the exhaust gas; a dilution gas supply device supplying dilution and cooling gases to the solid producing gas processing device; a processed gas measuring device receiving, as a processed gas, the exhaust gas free of the solid producing gas from the solid producing gas processing device and measuring a temperature of the processed gas and ingredients of the processed gas; and a control device receiving results of measurement of the concentration of the exhaust gas from the exhaust gas measuring device and results of measurement of the temperature of the processed gas and the ingredients of the processed gas from the exhaust gas measuring device and controlling the gas supply based on the measurement results. The present invention can achieve smooth flow of a gas in the exhaust gas processing system. 배기 가스 처리 시스템은 반도체에 대한 공정을 수행하여 배기 가스를 생성하는 공정 챔버, 상기 공정 챔버로부터 상기 배기 가스를 공급 받아, 상기 배기 가스의 농도를 측정하는 배기 가스 측정 장치, 상기 배기 가스 측정 장치로부터 상기 배기 가스를 공급 받고, 상기 배기 가스에 포함된 고체 생성 가스를 제거하는 고체 생성 가스 처리 장치, 희석 가스 및 냉각 가스를 상기 고체 생성 가스 처리 장치에 공급하는 희석 가스 공급 장치, 상기 고체 생성 가스 처리 장치로부터 상기 고체 생성 가스가 제거된 배기 가스인 처리 가스를 공급 받아, 상기 처리 가스의 온도 및 성분을 측정하는 처리 가스 측정 장치 및 상기 배기 가스 측정 장치로부터 상기 배기 가스의 농도에 대한 측정 결과 및 상기 처리 가스의 온도 및 성분에 대한 측정 결과를 수신하고, 상기 측정 결과를 기초로 상기 희석 가스 공급 장치에 대한 제어를 수행하는 제어 장치를 포함한다.