METHOD OF MONITORING SUBSTRATE PROCESSING APPARTUS AND SYSTEM THEREOF

기판 처리 장치 모니터링 방법은 바이어스 전원 공급 장치가 정합 회로를 통해 공정 챔버의 정전척에 고주파 RF(radio frequency) 전원 신호 및 저주파 RF 전원 신호를 인가하는 것, 직류 전원 공급 장치가 고주파 필터 및 저주파 필터를 통해 상기 공정 챔버의 에지링에 직류 전원을 공급하는 것, 상기 정합 회로 및 상기 정전척 사이의 제1 지점에서 상기 저주파 RF 전원 신호에 대응하는 전압인 저주파 RF 전압 값을 측정하는 것, 상기 고주파 필터 및 상기 저주파 필터 사이의 제2 지점에서 상기 저주파 전압 값을 측정하는 것, 상기 제1 지점의 저주파 RF 전압 값을 상기 제2 지점의 저주파 RF 전압 값으로 나누어 전압비를 획득하는 것 및 임계 값과 상기 전압비를 비교하여 상기 에지링의 상태를 모니터링하는 것을 포함할 수 있다. A method of monitoring a substrate processing apparatus includes applying a high-frequency radio frequency (RF) power signal and a low-frequency RF power signal from a bias power supply apparatus to an electrostatic chuck of a process chamber through a matching circuit. The method further includes applying a direct current (DC) power signal from a DC power supply apparatus to an edge ring of the process chamber through a high-frequency filter and a low-frequency filter. The method further includes measuring a low-frequency RF voltage value at a first point between the matching circuit and the electrostatic chuck, measuring the low-frequency RF voltage value at a second point between the high-frequency filter and the low-frequency filter, and acquiring a voltage ratio between the low-frequency RF voltage value at the first point and the low-frequency RF voltage value at the second point. The method further includes monitoring a state of the edge ring by comparing a threshold with the voltage ratio.