가변 기판 대 소스 배열을 갖는 분자빔 에피택시 시스템

MBE(Molecular Beam Epitaxy) 시스템에서 제어 가능한 기판-소스 배열을 제공하여 소스(들) 및 기판(들)사이의 거리, 방향 또는 기타 기하학적 구성을 선택적으로 조정하기 위한 장치, 시스템 및 방법이 제공된다. 높이 도가니의 유형 및 각도 및 다른 공정 조절을 조절함에 따라 지극히 우수한 두께 균일도가 에피택셜 성장 웨이퍼에서 확보될 수 있다. Systems and methods for providing controllable substrate-to-source arrangements in a Molecular...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	O'STEEN MARK LEE, PRIDDY SCOTT WAYNE, FARRELL STEPHEN GARY, BRESNAHAN RICHARD CHARLES, CAMPBELL WILLIAM COLBERT III
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	MBE(Molecular Beam Epitaxy) 시스템에서 제어 가능한 기판-소스 배열을 제공하여 소스(들) 및 기판(들)사이의 거리, 방향 또는 기타 기하학적 구성을 선택적으로 조정하기 위한 장치, 시스템 및 방법이 제공된다. 높이 도가니의 유형 및 각도 및 다른 공정 조절을 조절함에 따라 지극히 우수한 두께 균일도가 에피택셜 성장 웨이퍼에서 확보될 수 있다. Systems and methods for providing controllable substrate-to-source arrangements in a Molecular Beam Epitaxy (MBE) system to selectively adjust a distance, orientation, or other geometric configuration as between the source(s) and substrate(s) used in epitaxial growth systems are described herein. It has been found that by controllably adjusting height, crucible type and angle, and other processing conditions, that extremely high thickness uniformity can be accomplished in epitaxially grown wafers.