리소그래피 모델 파라미터들에 기초한 결함률 예측
집적 회로(IC) 설계 레이아웃에 기초하여 리소그래피 모델 출력을 생성하기 위해 교정된 리소그래피 모델이 사용될 수 있다. 다음으로, 리소그래피 모델 출력으로부터 적어도 화학적 파라미터가 추출될 수 있다. 그 후 화학적 파라미터에 기초하여 IC 설계 레이아웃에 대한 결함률을 예측하기 위해 교정된 결함률 모델이 사용될 수 있다. A calibrated lithographic model may be used to generate a lithographic model output based on an integrated circuit (...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | kor |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!