리소그래피 모델 파라미터들에 기초한 결함률 예측

집적 회로(IC) 설계 레이아웃에 기초하여 리소그래피 모델 출력을 생성하기 위해 교정된 리소그래피 모델이 사용될 수 있다. 다음으로, 리소그래피 모델 출력으로부터 적어도 화학적 파라미터가 추출될 수 있다. 그 후 화학적 파라미터에 기초하여 IC 설계 레이아웃에 대한 결함률을 예측하기 위해 교정된 결함률 모델이 사용될 수 있다. A calibrated lithographic model may be used to generate a lithographic model output based on an integrated circuit (...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	WELLING ULRICH, TANG JIUZHOU, STOCK HANS JUERGEN, VERDUIJN ERIK A, KLOSTERMANN ULRICH KARL
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	집적 회로(IC) 설계 레이아웃에 기초하여 리소그래피 모델 출력을 생성하기 위해 교정된 리소그래피 모델이 사용될 수 있다. 다음으로, 리소그래피 모델 출력으로부터 적어도 화학적 파라미터가 추출될 수 있다. 그 후 화학적 파라미터에 기초하여 IC 설계 레이아웃에 대한 결함률을 예측하기 위해 교정된 결함률 모델이 사용될 수 있다. A calibrated lithographic model may be used to generate a lithographic model output based on an integrated circuit (IC) design layout. Next, at least a chemical parameter may be extracted from the lithographic model output. A calibrated defect rate model may then be used to predict a defect rate for the IC design layout based on the chemical parameter.