Nozzle for semiconductor processing and apparatus for semiconductor processing including the same

가스 공급관; 및 상기 가스 공급관에 연결되되, 제1 방향으로 연장되는 가스 분배관; 을 포함하고, 상기 가스 분배관은: 상기 제1 방향으로 연장되는 가스 분배 통로; 및 상기 가스 분배 통로에 연결되며 상기 제1 방향에 교차되는 제2 방향으로 연장되어 상기 가스 분배 통로를 상기 가스 분배관의 외부 공간과 연결시키는 분사구; 를 제공하고, 상기 분사구는 복수 개가 제공되되, 상기 분사구들은 서로 상기 제1 방향으로 이격 배치되며, 상기 분사구들은: 직경이 일정한 직진 분사구; 및 상기 가스 분배 통로로부터 상기 제2 방향으로 갈수...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KONG BYUNGHWAN, AHN SEONGHEE, KO HAN SEO, KANG SEUNG HWAN, JANG DONG KYU, JI YUN YOUNG, PARK JUNSEONG, SON HOMIN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	가스 공급관; 및 상기 가스 공급관에 연결되되, 제1 방향으로 연장되는 가스 분배관; 을 포함하고, 상기 가스 분배관은: 상기 제1 방향으로 연장되는 가스 분배 통로; 및 상기 가스 분배 통로에 연결되며 상기 제1 방향에 교차되는 제2 방향으로 연장되어 상기 가스 분배 통로를 상기 가스 분배관의 외부 공간과 연결시키는 분사구; 를 제공하고, 상기 분사구는 복수 개가 제공되되, 상기 분사구들은 서로 상기 제1 방향으로 이격 배치되며, 상기 분사구들은: 직경이 일정한 직진 분사구; 및 상기 가스 분배 통로로부터 상기 제2 방향으로 갈수록 직경이 작아지는 수렴 분사구; 를 포함하는 반도체 처리용 노즐이 제공된다.