리소그래피 시스템을 위한 교정 방법
리소그래피 시스템 내의 기판 스테이지의 위치를 참조하기 위한 교정된 레퍼런스 노광 및 측정 그리드를 결정하기 위한 방법이 개시된다. 이러한 방법은 하나 이상의 교정 기판에 관련된 교정 데이터를 획득하는 단계; 및 상기 교정 데이터로부터 상기 리소그래피 시스템의 노광측에 대한 노광 그리드를 결정하고, 상기 교정 데이터로부터 상기 리소그래피 시스템의 측정측에 대한 측정 그리드를 결정하는 단계를 포함한다. 상기 노광 그리드 및 상기 측정 그리드는, 기판 독립적 노광 그리드 및 기판 독립적 측정 그리드를 획득하도록 상기 노광 그리드로부터...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 리소그래피 시스템 내의 기판 스테이지의 위치를 참조하기 위한 교정된 레퍼런스 노광 및 측정 그리드를 결정하기 위한 방법이 개시된다. 이러한 방법은 하나 이상의 교정 기판에 관련된 교정 데이터를 획득하는 단계; 및 상기 교정 데이터로부터 상기 리소그래피 시스템의 노광측에 대한 노광 그리드를 결정하고, 상기 교정 데이터로부터 상기 리소그래피 시스템의 측정측에 대한 측정 그리드를 결정하는 단계를 포함한다. 상기 노광 그리드 및 상기 측정 그리드는, 기판 독립적 노광 그리드 및 기판 독립적 측정 그리드를 획득하도록 상기 노광 그리드로부터 그리고 상기 측정 그리드로부터 교정 기판 의존적 성분을 제거하기 위하여 분해된다.
Disclosed is a method of determining calibrated reference exposure and measure grids for referencing position of a substrate stage in a lithographic system. The method comprises obtaining calibration data relating to one or more calibration substrates; and determining an exposure grid for an exposure side of the lithographic system from said calibration data and a measure grid for a measure side of the lithographic system from said calibration data. The exposure grid and said measure grid are decomposed so as to remove a calibration substrate dependent component from said exposure grid and from said measure grid to obtain a substrate independent exposure grid and substrate independent measure grid. |
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