감소된 전류 붕괴 및 향상된 전력 추가 효율성을 갖는 질화갈륨 고 전자 이동도 트랜지스터(HEMT)

고 전자 이동도 트랜지스터 구조물로서, 상기 고 전자 이동도 트랜지스터 구조물은, 기판 상에 배치된 GaN 버퍼층; 상기 GaN 버퍼층 상에 배치되고 상기 GaN 버퍼층과 직접 접촉하는 도핑된 GaN층으로서, 상기 도핑된 GaN층은 하나 이상의 상이한 도펀트로 도핑되는 것인, 도핑된 GaN층; 상기 도핑된 GaN층 상에 배치되고 상기 도핑된 GaN층과 직접 접촉하는 비의도적 도핑된(UID) GaN 채널층으로서, 상기 비의도적 도핑된(UID) GaN 채널층은 내부에 2DEG 채널을 갖는 것인, 비의도적 도핑된(UID) GaN 채널층; 및 상기 비의도적 도핑된(UID) GaN 채널층 상에 배치되고 비의도적 도핑된(UID) GaN 채널층과 직접 접촉하는 배리어층을 포함한다. 상기 도펀트들 중 하나는 베릴륨이고, 도펀트들 중 다른 하나는 탄소이다. A High Electron Mobility Transistor structure having: a GaN buffer layer disposed on the substrate; a doped GaN layer disposed on, and in direct contact with, the buffer layer, such doped GaN layer being doped with more than one different dopants; an unintentionally doped (UID) GaN channel layer on, and in direct contact with, the doped GaN layer, such UID GaN channel layer having a 2DEG channel therein; a barrier layer on, and in direct contact with, the UID GaN channel layer. One of the dopants is beryllium and another one of the dopants is carbon.