integrated circuit device

본 발명의 집적 회로 소자는 기판, 상기 기판 내에 서로 떨어져 위치한 복수개의 액티브 영역들; 및 상기 기판 상에서 상기 액티브 영역들과 콘택되고, 상기 서로 떨어져 위치한 복수개의 콘택 플러그들을 포함한다. 상기 콘택 플러그들은, 제1 폭을 가지며, 제1 도펀트 농도를 갖는 제1 콘택 플러그, 및 상기 제1 폭보다 큰 제2 폭을 가지며, 상기 제1 도펀트 농도보다 작은 제2 도펀트 농도를 갖는 제2 콘택 플러그를 포함한다. An integrated circuit device includes; word lines extending...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: CHUNG CHUN HYUNG, KOO JA MIN, YOO WON SEOK, KIM KYU WAN, MOON DAE YOUNG, MA JIN WON
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:본 발명의 집적 회로 소자는 기판, 상기 기판 내에 서로 떨어져 위치한 복수개의 액티브 영역들; 및 상기 기판 상에서 상기 액티브 영역들과 콘택되고, 상기 서로 떨어져 위치한 복수개의 콘택 플러그들을 포함한다. 상기 콘택 플러그들은, 제1 폭을 가지며, 제1 도펀트 농도를 갖는 제1 콘택 플러그, 및 상기 제1 폭보다 큰 제2 폭을 가지며, 상기 제1 도펀트 농도보다 작은 제2 도펀트 농도를 갖는 제2 콘택 플러그를 포함한다. An integrated circuit device includes; word lines extending in a first direction across a substrate and spaced apart in a second direction different from the first direction, bit lines extending on the word lines in the second direction and spaced apart in the first direction, a first contact plug arranged among the bitlines, contacting a first active region of the substrate, having a first width, and having a first dopant concentration, and a second contact plug arranged among the bitlines, contacting a second active region of the substrate, having a second width, and having a second dopant concentration less than the first dopant concentration.