광전도체 판독 회로

장치가 제안된다. 장치(110)는, - 적어도 하나의 광전도체(112) 어레이(113) - 각각의 광전도체(112)는 그 감광 영역의 조명에 따른 전기 저항을 나타내도록 구성되고, 상기 어레이(113)의 적어도 하나의 광전도체(112)는 특성화(characterizing) 광전도체(118)로서 설계됨 -, - 적어도 하나의 바이어스 전압원(116) - 상기 바이어스 전압원(116)은 적어도 하나의 교류 바이어스 전압을 상기 특성화 광전도체(118)에 인가하거나 적어도 하나의 직류(DC) 바이어스 전압을 상기 특성화 광전도체(118)에 인가하도록 구성됨 -, - 적어도 하나의 광전도체 판독 회로(130) - 상기 광전도체 판독 회로(130)는 상기 바이어스 전압에 응답하여 생성된 상기 특성화 광전도체(118)의 응답 전압을 결정하도록 구성되고, 상기 응답 전압은 상기 광전도체(112) 어레이(113)를 특성화하는 변수에 비례하며, 상기 광전도체 판독 회로(130)는 상기 광전도체(112) 어레이(113)의 작동 중에 상기 특성화 광전도체(118)의 상기 응답 전압을 결정하도록 구성됨 -를 포함한다. A device includes at least one array of photoconductors, at least one bias voltage source, and at least one photoconductor readout circuit. Each photoconductor is configured for exhibiting an electrical resistance dependent on an illumination of its light-sensitive region, and at least one photoconductor of the array is designed as characterizing photoconductor. The bias voltage source is configured for applying at least one alternating bias voltage to the characterizing photoconductor or at least one direct current (DC) bias voltage to the characterizing photoconductor. The photoconductor readout circuit is configured for determining of a response voltage of the characterizing photoconductor generated in response to the bias voltage. The response voltage is proportional to a variable characterizing the array of photoconductors. The photoconductor readout circuit configured for determining of the response voltage of the characterizing photoconductor during operation of the array of photoconductors.