성막 방법 및 성막 장치

성막실(2a)의 내부에 적어도 증착 재료와 기판(S)을 설치하고, 배기 및/또는 증착 재료의 조성을 바꾸지 않는 가스의 공급에 의해, 상기 성막실(2a)의 내부의 상기 기판(S)을 포함하는 제1 영역(A)을 0.05 ~ 100 Pa의 분위기로 설정하고, 상기 성막실(2a)의 내부의 상기 증착 재료를 포함하는 제2 영역(B)을 0.05 Pa 이하의 분위기로 설정하고, 이 상태에서, 진공 증착법에 의해, 제2 영역(B)에 있어서 증착 재료를 증발시키고, 제1 영역(A)에 있어서 피증착물에 증발한 증착 재료를 성막한다. The disclosure includes: installing at least a vapor deposition material and substrates (S) inside a film-forming chamber (2a); setting a first region (A) including the substrates (S) inside the film-forming chamber (2a) to an atmosphere of 0.05 to 100 Pa by evacuation and/or supply of a gas that does not change a composition of the vapor deposition material; setting a second region (B) including the vapor deposition material inside the film-forming chamber (2a) to 0.05 Pa or less; and in this state, vaporizing the vapor deposition material in the second region (B) by a vacuum vapor deposition method to form films of the vaporized vapor deposition material on the vapor deposition objects in the first region (A).