방사선 도관

EUV 리소그래피 장치용 방사선 소스가 개시된다. 방사선 소스는 플라즈마 형성 영역을 포함하는 챔버, 챔버 내에 배열되며 플라즈마 형성 영역에서 방출된 방사선을 수집하도록 그리고 수집된 방사선을 중간 초점 영역을 향하여 지향시키도록 구성된 방사선 컬렉터, 및 방사선 컬렉터와 중간 초점 영역 사이에 배치된 방사선 도관을 포함한다. 방사선 도관은 보호 가스 흐름을 지향시키기 위한, 방사선 도관의 벽의 내부 표면 상의 적어도 하나의 배출구, 및 방사선 도관의 벽의 내부 표면으로부터 연장되며 보호 가스 흐름을 재지향시키도록 구성된 적어도 하나의 가이드 부분을 포함한다. 방사선 도관의 적어도 하나의 배출구에 보호 가스 흐름을 제공함으로써 방사선 도관 내에서의 잔해물 및/또는 증기 증착을 감소시키는 방법이 또한 개시된다. A radiation source (SO) for an EUV lithography apparatus is disclosed. The radiation source comprises a chamber (9) comprising a plasma formation region (4), a radiation collector (5) arranged in the chamber and configured to collect radiation emitted at the plasma formation region and to direct the collected radiation towards an intermediate focus region (6), and a radiation conduit (300) disposed between the radiation collector and the intermediate focus region. The radiation conduit comprises at least one outlet (320, 325) on an inner surface of a wall of the radiation conduit for directing a protective gas flow, and at least one guide portion (335, 345) extending from the inner surface of the wall of the radiation conduit and configured to redirect the protective gas flow. Also disclosed is a method of reducing debris and/or vapor deposition in the radiation conduit by providing a protective gas flow to the at least one outlet of the radiation conduit, such that the protective gas flow is redirected by the at least one guide portion.