기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 나노 와이어 또는 나노 시트의 트랜지스터의 제조 방법

본 발명은 실리콘층과 실리콘게르마늄층이 번갈아 적층된 기판의 처리에서, 적절하게 처리 공정을 단축하는 것을 과제로 한다. 본 발명은 실리콘층과 실리콘게르마늄층이 번갈아 적층된 기판의 처리 방법이며, 플라스마화된 불소 및 산소를 포함하는 처리 가스를 사용하여, 상기 실리콘게르마늄층의 노출면의 표층을 선택적으로 개질하여 산화막을 형성하는 기판 처리 방법이다. The present disclosure appropriately shortens a processing step for processing a substrate in which a silicon layer and a silicon germanium layer are alternatively laminated. The present disclosure provides a substrate processing method of processing the substrate in which the silicon layer and the silicon germanium layer are alternatively laminated, which includes forming an oxide film by selectively modifying a surface layer of an exposed surface of the silicon germanium layer by using a processing gas including fluorine and oxygen and converted into plasma.