A MEMORY DEVICE A MEMORY SYSTEM AND AN OPERATION METHOD THEREOF

An operating method of a memory device according to an exemplary embodiment of the present disclosure includes the steps of: performing a first step program operation to form a plurality of first threshold voltage distributions; and performing a second step program operation to form a plurality of second threshold voltage distributions corresponding to a plurality of program states from the plurality of first threshold voltage distributions by using a coarse verification voltage and a fine verification voltage based on offset information including a plurality of different offsets according to characteristics for each of the second threshold voltage distributions. 본 개시의 예시적 실시예에 따른 메모리 장치의 동작 방법은, 복수의 제1 문턱전압 산포들을 형성하도록 제1 스텝 프로그램 동작을 수행하는 단계 및 상기 복수의 제1 문턱전압 산포들로부터 복수의 프로그램 상태들에 대응하는 복수의 제2 문턱전압 산포들을 형성하도록 상기 제2 문턱전압 산포 별 특성에 따라 상이한 복수의 오프셋(offset)들을 포함하는 오프셋 정보에 기반된 코어스(coarse) 검증 전압 및 파인(fine) 검증 전압을 이용하여 제2 스텝 프로그램 동작을 수행하는 단계를 포함한다.