회로 성형 부품 및 전자기기
[과제] 기재(100)에 자유도를 갖게 하여, 높은 밀착성에 의해서 금속층(200)을 형성한 회로 성형 부품(300)을 제공한다. [해결수단] 기재(100)에 있어서의 가공 영역(110)에 금속층(200)이 형성된 회로 성형 부품(300)에 있어서, 가공 영역(110)에는, 각각이 복수의 구멍(130)을 갖는 복수의 오목부(120)가 연속적으로 형성되고, 가공 영역(110)은, 폭과 기재(100)의 표면에 대한 최심의 비율이 10:1∼6:1이고, 가공 영역(110)은, 폭이 20 ㎛∼200 ㎛의 범위에서 형성되고, 기재(100)의...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | [과제] 기재(100)에 자유도를 갖게 하여, 높은 밀착성에 의해서 금속층(200)을 형성한 회로 성형 부품(300)을 제공한다. [해결수단] 기재(100)에 있어서의 가공 영역(110)에 금속층(200)이 형성된 회로 성형 부품(300)에 있어서, 가공 영역(110)에는, 각각이 복수의 구멍(130)을 갖는 복수의 오목부(120)가 연속적으로 형성되고, 가공 영역(110)은, 폭과 기재(100)의 표면에 대한 최심의 비율이 10:1∼6:1이고, 가공 영역(110)은, 폭이 20 ㎛∼200 ㎛의 범위에서 형성되고, 기재(100)의 표면에 대한 최심이 2 ㎛∼30 ㎛의 범위에서 형성되고, 금속층(200)은, 가공 영역(110) 내에 도금법에 의해서 적층함으로써 형성할 수 있고, 상기 적층 시에 금속층(200)으로 되는 금속과 반응하는 촉매가 구멍(130) 및 오목부(120)에 부착되어 있다.
Provided is a molded circuit component 300 in which a metal layer 200 is formed with high adhesion by giving a degree of freedom to a base material 100. In the molded circuit component 300 in which the metal layer 200 is formed in a processing region 110 in the base material 100, a plurality of recesses 120 each having a plurality of holes 130 are continuously formed in the processing region 110, the processing region 110 has a ratio of a width to a maximum depth with respect to a surface of the base material 100 of 10:1 to 6:1, the processing region 110 is formed to have a width in a range of 20 µm to 200 µm, and formed to have a maximum depth with respect to the surface of the base material 100 in a range of 2 µm to 30 µm, the metal layer 200 can be formed in the processing region 110 by laminating using a plating method, and a catalyst that reacts with a metal that forms the metal layer 200 at the time of the lamination is attached to the holes 130 and the recesses 120. |
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