METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE AND APPARATUS THEREOF

An objective of the present invention is to provide a substrate processing method and an apparatus thereof, which can increase an etching rate in an edge area of a substrate. The substrate processing method comprises: inserting a substrate into a processing space from the outside; receiving process gas from a gas supply unit to the processing space; generating plasma based on the process gas; performing an etching process on the substrate through ions included in the plasma; and discharging processing gas generated through the process through a discharge part. The discharge part includes a first slit penetrating a flange part and a second slit penetrating a sidewall part connected to the flange part and connected to the first slit. The vertical length of the first slit and the vertical length of the second slit are equal. The horizontal length of the first slit is 5-7 times the vertical length of the first slit. 외부로부터 기판이 처리 공간에 삽입되는 것, 가스 공급 유닛으로부터 공정 가스를 상기 처리 공간으로 공급받는 것, 상기 공정 가스를 기초로 플라즈마를 생성하는 것, 상기 플라즈마에 포함된 이온을 통해 상기 기판에 대한 식각 공정을 수행하는 것 및 배출부를 통해 상기 공정을 통해 생성된 처리 가스를 배출시키는 것을 포함하고, 상기 배출부는 플랜지부를 관통하는 제1 슬릿 및 상기 플랜지부와 연결된 측벽부를 관통하며 상기 제1 슬릿과 연결된 제2 슬릿을 포함하며, 상기 제1 슬릿의 수직 방향 길이 및 상기 제2 슬릿의 수직 방향 길이는 동일하고, 상기 제1 슬릿의 수평 방향 길이는 상기 제1 슬릿의 수직 방향 길이의 5배 내지 7배이다.