Apparatus and Method for treating substrate

The present invention provides an apparatus for treating a substrate. According to one embodiment of the present invention, the substrate treatment apparatus includes: a process chamber having an upper body and a lower body which are combined with each other to form a treatment space in which a substrate is treated; a driver configured to move the upper body and the lower body between an open position and a closed position by moving any one of the upper body and the lower body; a support unit located in the treatment space and configured to support the substrate; a heating unit configured to heat the substrate placed on the support unit; a gas supply unit configured to supply gas to the treatment space; an exhaust unit configured to exhaust the treatment space; and a controller configured to control the apparatus, wherein the exhaust unit may include an edge exhaust member configured to exhaust a region facing an edge region of the substrate placed on the support unit, and a center exhaust member configured to exhaust a region facing a center region of the substrate placed on the support unit, and the controller may control the exhaust unit such that the center exhaust member or the edge exhaust member exhausts the treatment space at a preset exhaust amount while the gas is supplied to the treatment space. According to the present invention, it is possible to determine a degree of hydrophobization of the substrate. 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치는, 서로 조합되어 내부에 처리 공간을 가지는 상부 바디와 하부 바디를 가지는 공정 챔버와; 상부 바디와 하부 바디 중 어느 하나를 이동시켜 상부 바디와 하부 바디를 공정 위치와 개방 위치 간으로 이동시키는 구동기와; 처리 공간 내에 위치하며 기판을 지지하는 지지 유닛과; 지지 유닛에 놓인 기판을 가열하도록 제공된 가열 유닛과; 처리 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과; 장치를 제어하는 제어기를 포함하고, 배기 유닛은, 지지 유닛에 놓인 기판의 가장자리 영역에 대향되는 영역을 배기하는 엣지 배기 부재와; 지지 유닛에 놓인 기판의 중앙 영역에 대향되는 영역을 배기하는 센터 배기 부재를 포함하고, 제어기는, 처리 공간으로 가스가 공급되는 동안 센터 배기 부재 또는 엣지 배기 부재가 기 설정 배기량으로 처리 공간을 배기하도록 배기 유닛을 제어할 수 있다.