EUVL EUVL GLASS SUBSTRATE FOR EUVL AND MASK BLANK FOR EUVL

An object of the present invention is to provide a technology that suppresses the flatness of the center region of the main surface of a glass substrate for EUVL to less than 10.0 nm. A glass substrate for EUVL has a rectangular first main surface on which a conductive film is formed and a rectangular second main surface in the opposite direction to the first main surface, on which an EUV reflective film and an EUV absorbing film are formed in this order. When coordinates of points of the central region having a square shape of 142 mm in a vertical direction and 142 mm in a horizontal direction of the first main surface excluding a rectangular frame-like peripheral region are expressed by (x, y, z(x,y)), a maximum height difference of a surface that is a set of coordinates (x, y, z3(x,y)) calculated by using Formulas (1)-(3) is less than 6.0 nm. 본 발명의 과제는 EUVL용 유리 기판의 주표면의 중앙 영역의 평탄도를 10.0㎚ 미만으로 억제하는 기술을 제공하는 것이다. EUVL용 유리 기판은, 도전막이 형성되는 직사각형의 제1 주표면과, EUV 반사막과 EUV 흡수막이 이 순번으로 형성되는, 상기 제1 주표면과는 반대 방향의 직사각형의 제2 주표면을 갖는다. 상기 제1 주표면 중, 그 직사각형 프레임 형상의 주연 영역을 제외한, 세로 142㎜, 가로 142㎜인 정사각형의 중앙 영역의 점의 좌표를 (x,y,z(x,y))로 나타내면, 명세서 중의 식(1) 내지 (3)을 사용하여 산출되는 좌표 (x,y,z3(x,y))의 집합인 면의 최대 고저차가 6.0㎚ 이하이다.