SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SAME

A semiconductor device is provided. The semiconductor device includes gate stacks which are on a substrate and are spaced apart from each other in a first direction, wherein the gate stacks include electrodes and cell insulating layers alternately stacked. A separation structure which is between the gate stacks and extends in a second direction crossing the first direction is provided. Vertical structures penetrating the gate stacks and having conductive pads on upper portions thereof are provided. A supporting structure covering the gate stacks, bit lines on the supporting structure, and contact plugs penetrating the supporting structure and electrically connecting the bit lines to the vertical structures are provided. A lower surface of the supporting structure covering the separation structure is lower than upper surfaces of the conductive pads. According to the present invention, reliability and integration are further improved. 반도체 장치가 제공된다. 반도체 장치는 기판 상에서 제1 방향으로 이격된 게이트 적층 구조체들, 상기 게이트 적층 구조체들은 교대로 적층된 전극들 및 셀 절연막들을 포함한다. 상기 게이트 적층 구조체들 사이에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 분리 구조체가 제공된다. 상기 게이트 적층 구조체들을 관통하고 그 상부에 도전 패드들을 포함하는 수직 구조체들이 제공된다. 상기 게이트 적층 구조체들을 덮는 지지 구조체, 상기 지지 구조체 상의 비트 라인들, 및 상기 지지 구조체를 관통하여 상기 비트 라인들과 상기 수직 구조체들을 연결하는 콘택 플러그들이 제공된다. 상기 분리 구조체를 덮는 상기 지지 구조체의 하면은 상기 도전 패드들의 상면들보다 낮다.