METHOD OF FABRICATING AN OXIDE SPUTTERING TARGET AND METHOD OF FORMING A THIN FILM USING THE SAME

The present invention relates to a method for manufacturing an oxide sputtering target and an antireflection film deposited by using the sputtering target and, more specifically, to an antireflection film wherein a thin film formed through sputtering by a sputtering target for depositing an antireflection film has a reflectance level of 10% (@550nm) or lower at a joining surface with metal. To this end, the oxide sputtering target is made of a material based on a composition of W, Cu, La, and O or based on a composition of Cu, Ca, In, and O. The method for manufacturing a sintered body based on the composition of W, Cu, La, and O comprises: obtaining a powder mixture by mixing WO3 powder, CuO powder, and La2O3 powder; and obtaining a sintered body by sintering the powder mixture. The CuO content is 25 atom% or lower in comparison to the sum of the W atom content, the Cu atom content, the La atom content, and the O atom content. The La2O3 content is 10 atom% or lower in comparison to the sum of the W atom content, the Cu atom content, the La atom content, and the O atom content. In addition, the method for manufacturing a sintered body based on the composition of Cu, Ca, In, and O comprises: obtaining a powder mixture by mixing CuO powder, CaCO3 powder, and In2O3 powder; and obtaining a sintered body by sintering the powder mixture. The CaCO3 content is 20 atom% or lower in comparison to the sum of the Cu atom content, the Ca atom content, the In atom content, the C atom content, and the O atom content. The In2O3 content is 50 atom% or lower in comparison to the sum of the Cu atom content, the Ca atom content, the In atom content, the C atom content, and the O atom content. 본 발명은 산화물 스퍼터링 타겟을 제조하기 위한 방법 및 그 스퍼터링 타겟을 이용하여 증착된 반사방지막에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 반사방지막을 증착시키는 스퍼터링 타겟으로, 스퍼터링을 통해 성막된 박막은 금속과 접합면에서 반사율이 10%이하(@550nm) 수준을 나타내는 반사방지막에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은, W, Cu, La, O 조성을 기반으로 하는 하거나 Cu, Ca, In, O 조성을 기반으로 하는 물질로 이루어진다. W, Cu, La, O 조성을 기반으로 이루어진 소결체를 제조하기 위한 방법은, WO3 분말, CuO 분말 및 La2O3 분말을 혼합하여 분말 혼합물을 얻는 것과, 상기 분말 혼합물을 소결하여 소결체를 얻는 것을 포함할 수 있다. 여기서, CuO의 함유율은 W 원자, Cu 원자, La 원자 및 O원자 함유율 합계 대비 25원자%이하, 상기 La2O3의 함유율은 W 원자, Cu 원자, La 원자 및 O원자 함유율 합계 대비 10원자%이하일 수 있다. 또한 Cu, Ca, In, O 조성을 기반으로 한 소결체를 제조하기 위한 방법은, CuO 분말. CaCO3 분말 및 In2O3 분말을 혼합하여 분말 혼합물을 얻는 것과, 상기 분말 혼합물을 소결하여 소결체를 얻는 것을 포함할 수 있다. 여기서, CaCO3 함유량은 Cu 원자, Ca 원자, In 원자, C 원자 및 O 원자의 함유율 합계 대비 20원자% 이하고, In2O3의 함유량은 Cu 원자, Ca 원자, In 원자, C 원자 및 O 원자의 함유율 합계 대비 50원자% 이하일 수 있다.