PLANIRIZATION METHOD FOR SEMICONDUCT INTEGRATED DEVICE USING FLUIDS PRESSURE

According to an embodiment of the present invention, deionized water and a cost consumed to process by-products (waste solution, slurry) can be significantly reduced by removing various issues such as energy, processing by-products, supply of deionized water according to addition of a CMP process used in an existing semiconductor device. A method of planarizing a semiconductor integrated device comprises: coating an upper part of an integrated device of a semiconductor substrate with a planarization material (S10); arranging a flat mold at an upper portion of the coated planarization material and an elastic body plate at an upper portion of a flat mold (S20); spraying fluid into a fluid space of an upper portion of the elastic body plate (S30); a first pressurizing step of pressurizing the sprayed fluid to the elastic body plate with uniform pressure (S40); a second pressurizing step of pressurizing the pressurized elastic body plate to a flat mold (S50); and planarizing a planarization material coated with the pressurized flat mold to form a planarization layer (S60). 본 발명의 일 실시예에 의하면, 종래 반도체 소자에서 사용하는 CMP 공정의 추가에 따른 에너지, 부산물 처리, 초순수 공급 등의 다양한 issue를 제거함으로써 초순수의 감소 및 공정부산물 (폐액, slurry)의 처리에 소모되는 비용의 획기적으로 절감될 수 있다. 이를 위해 특히 본 발명의 일 실시예는, 반도체 집적소자를 평탄화하는 평탄화 방법에 있어서, 반도체 기판의 집적소자 상부로 평탄화 소재를 도포하는 단계(S10); 도포된 평탄화 소재 상부에 플랫 몰드와, 플랫 몰드 상부에 탄성체판을 배치하는 단계(S20); 탄성체판 상부의 유체 공간으로 유체를 주입하는 단계(S30); 주입된 유체가 탄성체판을 균일한 압력으로 가압하는 제1 가압단계(S40); 가압된 탄성체판이 플랫 몰드를 가압하는 제2 가압단계(S50); 및 가압된 플랫 몰드가 도포된 평탄화 소재를 평탄화하여 평탄화층을 형성하는 단계(S60)를 포함하는 유체 가압을 이용한 반도체 집적소자의 평탄화 방법을 포함한다.