Substrate Processing apparatus

The present invention relates to a substrate processing device, and more particularly, to a substrate processing device for performing substrate processing such as deposition and etching on a substrate using plasma. According to the present invention, disclosed is a substrate processing device including: a process chamber (100) forming a closed processing space (S); a gas dispensing unit (200) which is installed above the process chamber (100) to spray gas into the processing space (S) and to which RF power is applied; a substrate support (300) which is installed below the process chamber (100) to support a substrate (10), and which is grounded or to which an RF bias is applied; and a gas supply unit (400) communicating with the gas dispensing unit (200) to supply gas to the gas dispensing unit (200). Thin film quality can be improved. 본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 플라즈마를 이용하여 기판에 증착, 식각 등의 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다. 본 발명은, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하며 RF전력이 인가되는 가스분사부(200)와; 상기 공정챔버(100) 하측에 설치되어 기판(10)을 지지하며 접지되거나 RF바이어스가 인가되는 기판지지부(300)와; 상기 가스분사부(200)와 연통되어 상기 가스분사부(200)로 가스를 공급하기 위한 가스공급부(400)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.