인접한 데크 간 산화물 재료를 포함한 마이크로 전자 장치, 전자 시스템 및 관련 방법

마이크로 전자 장치는 전도성 재료와 절연 재료의 교번 레벨을 포함하는 데크를 포함하고, 데크는 전도성 재료와 절연 재료의 교번 레벨을 통해 연장되는 채널 재료를 포함하는 필라와, 인접한 데크 사이에 위치하고, 인접 데크의 채널 재료와 전기적으로 통신하는 전도성 접촉부와, 인접 데크 사이의 산화물 재료를 포함하고, 상기 산화물 재료는, 제1 데크의 최상부 레벨과 제1 데크에 인접한 제2 데크의 최하부 레벨 사이에서 연장된다. 마이크로 전자 장치 및 전자 시스템을 형성하는 관련 전자 시스템 및 방법이 또한 개시되어 있다. A microelectronic device includes decks comprising alternating levels of a conductive material and an insulative material, the decks comprising pillars including a channel material extending through the alternating levels of the conductive material and the insulative material, a conductive contact between adjacent decks and in electrical communication with the channel material of the adjacent decks, and an oxide material between the adjacent decks, the oxide material extending between an uppermost level of a first deck and a lowermost level of a second deck adjacent to the first deck. Related electronic systems and methods of forming the microelectronic device and electronic systems are also disclosed.