IGZO RECOVERING METHOD FOR ZINC INDIUM AND GALLIUM FROM IGZO WASTE TARGET

Provided is a method of collecting zinc, indium and gallium from an IGZO waste target. The method includes the following steps of: grinding a waste target composed of indium, gallium and zinc oxides to generate a ground material; adding a catalyst to the ground material to generate a mixture; heating the mixture to remove moisture from the mixture; adding a reducing agent to the thermally treated mixture to laminate the agent; forming a protection layer by using the reducing agent such that the mixture is not exposed; injecting inert gas into the mixture; and heating the mixture at 900 to 1400℃ to selectively separate indium and gallium to collect the indium and the gallium sequentially in accordance with a collection temperature. A collection temperature to extract the indium is 900 to 1000℃, and a collection temperature to extract the gallium is 1000-1200℃. Therefore, the present invention is capable of shortening time and costs required for processes. IGZO 폐타겟으로부터 아연, 인듐 및 갈륨의 회수 방법이 제공된다. 상기 방법은, 인듐갈륨아연산화물로 조성된 폐타겟을 분쇄하여 분쇄물을 생성하는 단계; 상기 분쇄물에 촉매제를 추가하여 혼합물을 생성하는 단계; 상기 혼합물의 수분을 제거하기 위해 가열하는 단계; 열처리된 상기 혼합물에 환원제를 첨가하여 적층하는 단계; 상기 혼합물이 노출되지 않도록 상기 환원제를 이용하여 보호층을 형성하는 단계; 상기 혼합물에 불활성 가스를 투입하는 단계; 및 900℃ 내지 1400℃온도로 가열하여 인듐 및 갈륨을 선택적으로 분리하여 회수온도에 따라 순차적으로 회수하는 단계;를 포함하되, 상기 인듐이 추출되는 회수온도는 900℃ 내지 1000℃ 온도이고, 상기 갈륨이 추출되는 회수온도는 1000℃ 내지 1200℃ 온도일 수 있다.